Anwendungen von β-Siliciumcarbid (β-SiC) in der Halbleiterindustrie β-SiC, auch bekannt als 3C-SiC, besitzt eine kubische Zinkblende-Kristallstruktur und ist eine metastabile Phase. Es unterscheidet sich vom kommerziell dominierenden 4H-SiC (hexagonales α-SiC) für Leistungshalbleiter. Es weist eine Bandlücke von ca. 2,36 eV, eine hohe Elektronenmobilität und Heteroepitaxie auf Siliziumwafern auf und bietet exzellente Hochtemperaturbeständigkeit, Plasmaätzbeständigkeit und Strahlungstoleranz.

Hauptkornstandards für grünes Siliciumcarbid-GC Gütebezeichnung für grünes Siliciumcarbid: GC; die Körnungen lassen sich in zwei Hauptkategorien einteilen: Schleifkörner (grobe Körnung) und Mikropulver (feine Mikropulver). 1. Europäischer FEPA-Standard (ISO 8486, am weitesten verbreitet für den Außenhandel mit Europa, dem Nahen Osten und Südostasien) FEPA verwendet zwei Sätze: F‐grit / P‐grit. Gleiche Körnungsbezeichnungen, aber unterschiedliche Partikelgrößenbereiche, NICHT

Wie die Partikelgröße von grünem Siliciumcarbid-Mikropulver die Mahleffizienz von optischem Glas beeinflusst

Schwarzes Siliciumcarbid wird Nanoisolationsplatten hauptsächlich als Infrarot-Trübungsmittel beigemischt. Es behebt das Problem der Infrarotstrahlungsdurchdringung der silikatbasierten Matrix bei hohen Temperaturen und verbessert gleichzeitig die Hochtemperaturbeständigkeit und die mechanischen Eigenschaften der Platten. Kernfunktion: Blockierung von Hochtemperatur-Infrarotstrahlung. Die nanoporöse Siliciumdioxidmatrix ist für mittelwellige Infrarotstrahlung semitransparent. Mit steigender Temperatur nimmt der Anteil der Wärmestrahlung am Wärmetransport zu, was

Grünes Siliciumcarbid für Trübungsmittelanwendungen – SiC-Reinheit Mindestanforderung: SiC ≥ 98,5 Gew.-%. Bevorzugte Spezifikation: SiC ≥ 99,0 Gew.-% für eine stabilere Infrarot-Opazifizierung, insbesondere bei hohen Betriebstemperaturen. Wichtige Verunreinigungsgrenzwerte für Trübungsmittel Artikel Maximale Grenze Risikobeschreibung Eisen(III)-oxid (Fe₂O₃) ≤0,15 % Verursacht bei hohen Temperaturen rote Flecken, beschleunigt die Oxidation und beschädigt Dämmplatten Freier Kohlenstoff (FC) ≤0,30 % Verbrennt

Prozessprinzip: Stufenweises, sequentielles Mahlen, Auslassen von Mahlgut nicht zulässig; durchgehendes Nassmahlen; hochreines GC für hellen Marmor, um Vergilbung durch Eisenverunreinigungen zu vermeiden. Verfahren Grünes SiC-Grit Beschreibung Grobschleifen (Nivellieren, Entfernen tiefer Kratzer und Vertiefungen) 60#, 80#, 120# Schnelles Nivellieren zum Ausgleichen von Höhenunterschieden und tiefen Kratzern. Verwenden Sie 60er-Schleifpapier für stark beschädigten Stein; beginnen Sie mit