Anwendung von Siliziumkarbid im Halbleiterbereich
Anwendung von Siliziumkarbid im Halbleiterbereich Eindimensionale SiC-Nanomaterialien verfügen aufgrund ihrer eigenen mikroskopischen Morphologie und Kristallstruktur über einzigartigere hervorragende Eigenschaften und breitere Anwendungsaussichten. Sie gelten allgemein als wichtige Komponente der Halbleitermaterialien der dritten Generation mit großem Bandabstand. Die Halbleitermaterialien der dritten Generation sind Halbleitermaterialien mit großem Bandabstand, auch bekannt als Hochtemperatur-Halbleitermaterialien, und umfassen hauptsächlich Siliziumkarbid, Galliumnitrid,