Grünes Siliciumcarbid 46# für verschleißfeste Hilfsmaterialien in der Photovoltaik.

6# Grünes Siliciumcarbid (grünes SiC) ist ein hochreines, ultrahartes Schleifmittel, das in der Photovoltaikindustrie (PV) vor allem für die Bearbeitung von monokristallinen/polykristallinen Siliciumwafern als verschleißfestes Kernhilfsmaterial weit verbreitet ist.

1. Grundlegende Eigenschaften

Chemische und physikalische Parameter

Blatt
Artikel Standardwert
Hauptkomponente SiC ≥ 99,0 %
Verunreinigungen Fe₂O₃ ≤ 0,40 %, freier Kohlenstoff ≤ 0,20 %
Mohs-Härte 9,4 (nur Diamant und B₄C sind besser)
Schmelzpunkt 2250 °C
Maximale Betriebstemperatur 1900 °C
Spezifisches Gewicht 3,18–3,25 g/cm³
Partikelgröße (46#) 0,355–0,425 mm (JIS/Fepa-Standard)
Kristallstruktur Hexagonal, grün kristallin

Wichtigste Vorteile der Photovoltaik

  • Extrem hohe Härte und Verschleißfestigkeit : ideal zum Schleifen/Schneiden von harten Siliziumwafern
  • Hohe Reinheit und geringe Kontamination : Vermeidet Metallionenverunreinigungen auf Waferoberflächen
  • Hervorragende Wärmeleitfähigkeit : schnelle Wärmeableitung während der Verarbeitung, verhindert Waferrisse
  • Chemische Inertheit : stabil in Säuren/Laugen, keine Reaktion mit Silicium

2. Produktionsprozess

  1. Rohstoffe: hochreiner Quarzsand + Petrolkoks + Salz (Zusatzstoff)
  2. Hochtemperaturschmelzen im Widerstandsofen (≈2000°C)
  3. Zerkleinern, Formen, Säure-Base-Waschen, magnetische Trennung und präzise Klassifizierung
  4. Endsiebung bis zu einer Körnung von 46# mit enger Partikelverteilung

3. Hauptanwendungen in der Photovoltaikindustrie

(1) Siliziumwafer-Mehrdrahtsägen

  • Wird als Schleifmittel in Schneidschlämmen verwendet (gemischt mit Schneidflüssigkeit + Stahldraht)
  • Schneidet Ingots effizient in dünne Scheiben (0,15–0,3 mm).
  • Gewährleistet ebene Oberflächen, geringen Verzug und hohe Ausbeute

(2) Waferschleifen und Läppen

  • Grobes Schleifen der Waferoberflächen zum Entfernen von Sägespuren
  • Vorpolieren vor dem abschließenden chemisch-mechanischen Polieren (CMP)
  • Kontrolliert die Gleichmäßigkeit der Schichtdicke und die Oberflächenrauheit (Ra < 10 nm).

(3) Verschleißfeste Bauteile

  • Rohmaterial für verschleißfeste Beschichtungen an Teilen von PV-Verarbeitungsanlagen
  • Wird in Schleifscheiben, Läppplatten und Vorrichtungen für die Waferhandhabung verwendet

4. Warum 46er Körnung bevorzugt wird

  • Ausgewogene Schneidleistung und Oberflächenqualität : gröber als feine Pulver (schnellerer Materialabtrag), aber feiner als grobe Körnungen (geringere Oberflächenbeschädigung)
  • Optimal für die Vorbearbeitung von PV-Wafern : Erfüllt die typischen Verarbeitungsanforderungen beim Sägen von Siliziumblöcken und beim Vorschleifen von Wafern.
  • Gute Fließfähigkeit und Suspension : stabil in Suspension, reduziert Verstopfungen in Drahtsägen

5. Qualitätskontrolle für PV-Qualität

  • Strenge Grenzwerte für magnetische Verunreinigungen (≤30 ppm) zur Vermeidung von Waferverunreinigungen
  • Enge Partikelgrößenverteilung (PSD) zur Sicherstellung konsistenter Verarbeitungsergebnisse
  • Keine übergroßen Partikel, um tiefe Kratzer auf den Wafern zu vermeiden.

6. Vergleich mit schwarzem Siliciumcarbid

Blatt
Eigentum Grünes SiC 46# Schwarzes SiC
Reinheit Höher (SiC ≥99%) Niedriger (SiC ~97–98%)
Härte Höher (9,4) Niedriger (9,1–9,3)
Chemische Stabilität Besser Gut
PV-Eignung Ideal (hohe Reinheit, geringe Verunreinigung) Nicht empfohlen (Gefahr der Metallbelastung)

7. Verpackung und Lagerung

  • Üblicherweise verpackt in 25 kg/50 kg PP-Säcken oder Jumbo-Säcken.
  • An einem trockenen, gut belüfteten Ort lagern; vor Feuchtigkeit und Verunreinigungen schützen.

Zusammenfassend lässt sich sagen, dass grünes Siliziumkarbid 46# aufgrund seiner einzigartigen Kombination aus hoher Härte, Reinheit, thermischer Stabilität und Verschleißfestigkeit das branchenübliche Schleifmittel für die Bearbeitung von PV-Siliziumwafern ist und somit eine hocheffiziente und qualitativ hochwertige Waferherstellung direkt unterstützt.
Soll ich Ihnen helfen, 46# Green SiC mit anderen Korngrößen (wie 36#, 60#, 80#) für verschiedene PV-Prozessschritte zu vergleichen?
Scroll to Top